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Die 5 besten tipps für originellere plots

In der Produktion halbleiter- und vieler diskreter Geräte muss man auf der Unterlage gleichartig nach der Dicke die Schichten gleichnamig ihr dem Fußboden des Schaffners, und in einigen Fällen – und des Halbleiters anderer Art, mit anderer Breite der untersagten Zone schaffen. Insbesondere ist es für die Erweiterung der Funktionalität der Schemen, der Verbesserung ihrer Parameter mit dem Weg, zum Beispiel, die Bildungen der unter solchen Schichten verborgenen Grundstücke der hohen Leitungsfähigkeit (verborgen die Schicht notwendig.

wird in der Säure, in die diese Schicht ÓáßÔó«ÓnÑÔßn durchgeführt. Auf jenen Grundstücken der Platte, auf die es »Ó«ó«ñ¿Ôý die Diffusion, in der Schicht bei notwendig ist. Der Hilfe rotten die Säuren die Fenster der geforderten Umfänge aus.

Der Wissenschaftlich-technische Fortschritt ist ohne aller Zweige der Volkswirtschaft nicht möglich. Die Bedürfnisse der Volkswirtschaft nach der elektrischen Energie wachsen ununterbrochen, was zur Vergrößerung ihrer Produktion bringt.

Die Diffusion der Beimischungen wird für die Platten zwecks der Bildung r - und der n-Schichten, die den Emitter bilden, die Basis, der bipolaren Transistoren, den Abfluss, die Quelle, den Kanal der Transistoren, die Schichten, sowie die isolierenden r-r-Übergänge verwendet. Für die Diffusion der Beimischungen der Platte werden bis zu 800—1250 ° erwärmt und über ihrer Oberfläche wird das Gas versäumt, das die Beimischung enthält. Die Beimischung in die Tiefe der Platte durch die Fenster, die in der Schicht geöffnet sind. Die Tiefe der Diffusionsschicht und seinen Widerstand mittels der Veränderung des Regimes der Diffusion (die Temperatur und die Diffusionen).

verwenden für die Züchtung auf der Oberfläche die Platten der Halbleiterschicht mit p - oder der r-Leitungsfähigkeit. Solche Schicht von der Dicke etwas Mikrometer bildet sich beim Durchlaß über erwärmt bis zu 1250 ° von der Unterlage des Stroms des Gases, das die Vereinigungen enthält, die, die chemische Reaktion betretend, werden auf die Teile zerlegt und bringen zur Bildung der Schicht mit n - oder der r-Leitungsfähigkeit auf der Oberfläche der Platte.

Beschleunigt entwickelt sich die Produktion der technisch komplizierten langlebigen Haushaltsapparatur mit den verbesserten Konsum- und ästhetischen Eigenschaften, die dank der Nutzung der modernen Komponenten und in erster Linie die integrierten Integralschaltkreise bekommen sind.

Die elektronischen Geräte bilden die Grundlage der wichtigsten Mittel der modernen Verbindung, der Technik, der Messtechnik. Sie helfen, in die Geheimnisse des Mikrokosmos und des Kosmos durchzudringen, die elektrischen Potential des lebendigen Käfigs und die atomaren Unebenheiten der bearbeiteten Oberfläche zu messen. Diese Geräte werden die Sonnenstrahlung in die elektrische Energie umwandeln, die die Satelliten nährt. Aufgrund der Elektronik ist der Übergang zur vollständig automatisierten Produktion real. Schon jetzt werden die Werkbänke mit der Zahlenprogrammsteuerung und die industriellen Arbeiten verwendet.

Besonderheit halbleiter- ist, dass alle Elemente gleichzeitig im einheitlichen Arbeitsablauf herstellen, dessen abgesonderte Operationen und, die Diffusion, ) in einer und derselbe Umgebung erfüllt werden.

Der Mechanismus Paare – die Flüssigkeit – der Kristall ( – -), wenn die Bildung der festen Phase aus die Zustände das Stadium des flüssigen Zustandes geht. Zum Beispiel kann die Kristallisation Ge auf der Unterlage Si, wenn letzt dienen, bis zur Temperatur zu erwärmen, die die Temperatur des Schmelzens Ge übertritt;